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J-GLOBAL ID：200902240579933022   整理番号：05A0126430

微小角入射X線トポグラフィによる(100)Si表面の格子歪の観察と評価

Characterization of Lattice Distortions in (100) Silicon Crystals Using Grazing Incidence X-Ray Topography

著者 (2件)： 西牟田啓之 (宮崎大 工) ,  福森太一郎 (宮崎大 工)
資料名： Memoirs of the Faculty of Engineering, University of Miyazaki  (Memoirs of the Faculty of Engineering, University of Miyazaki)
号： 33  ページ： 9-16  発行年： 2004年10月25日 
JST資料番号： G0471A  ISSN： 0540-4924  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 超LSIにおいてSi表面の品質を高精度で調査する必要がある。...

シソーラス用語： すれすれ入射 ,...

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の表面構造  (BK15030A)

タイトルに関連する用語 (6件)： 微小角入射 ,  X線トポグラフィ ,  Si ,  格子歪 ,  観察 ,  評価