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J-GLOBAL ID：200902240720347175   整理番号：08A0812085

NORとNANDフラッシュメモリのランダム電信雑音不安定性へのサイクル効果

Cycling Effect on the Random Telegraph Noise Instabilities of NOR and NAND Flash Arrays

著者 (8件)： MONZIO COMPAGNONI Christian (Politecnico di Milano, Milano, ITA) ,  MONZIO COMPAGNONI Christian (Italian Univ. NanoElectronics Team (IU.NET)) ,  SPINELLI Alessandro S. (Politecnico di Milano, Milano, ITA) ,  SPINELLI Alessandro S. (Italian Univ. NanoElectronics Team (IU.NET)) ,  SPINELLI Alessandro S. (Istituto di Fotonica e Nanotecnologie, Consiglio Nazionale delle Ricerche, Milano, ITA) ,  BELTRAMI Silvia (Numonyx, Agrate Brianza (MI), ITA) ,  BONANOMI Mauro (Numonyx, Agrate Brianza (MI), ITA) ,  VISCONTI Angelo (Numonyx, Agrate Brianza (MI), ITA)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 29  号： 8  ページ： 941-943  発行年： 2008年08月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： NORとNANDフラッシュメモリのランダム電信雑音(RTN)しきい値電圧変動(ΔV_T)分布への書込み/消去(P/E)サイクル効果について詳細に調べた。RTNはメモリセル上の2連続読出し動作間ΔV_Tの分布に指数関数的テールを生じる。RTN指数関数的テールは新しいトンネル酸化膜トラップの発生が原因となって生じるRTN揺らぎの増加によりP/Eサイクルの関数として増大するが,基本的には同一の傾斜を保つ。この増加はNOR技術よりもNANDの場合のほうが比較的大きいことがわかった。多値NORとNAND技術応用にV_Tレベルを設計する際には,これらの結果を慎重に考慮する必要がある。

シソーラス用語： *故障解析 ,  *フラッシュメモリ ,  NOR回路 ,  NAND回路 ,  不安定性 ,  電圧 ,  閾値 ,  データ書込 ,  データ消去 ,  *サイクル寿命 ,  統計的推定 ,  分布関数 ,  故障率

分類 (2件)： 論理回路  (NC05070B) ,  信頼性  (KB04040H)

タイトルに関連する用語 (4件)： NANDフラッシュメモリ ,  電信雑音 ,  不安定性 ,  サイクル