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J-GLOBAL ID：200902240822745396   整理番号：03A0189636

SiGe HBT低雑音線形増幅器の二重バイアス給電回路設計

A Dual Bias-Feed Circuit Design for SiGe HBT Low-Noise Linear Amplifier.

著者 (4件)： TANIGUCHI E (Mitsubishi Electric Corp., Kanagawa, JPN) ,  IKUSHIMA T (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  ITOH K (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  SUEMATSU N (Mitsubishi Electric Corp., Kanagawa, JPN)
資料名： IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques  (IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques)
巻： 51  号： 2,Pt.1  ページ： 414-421  発行年： 2003年02月 
JST資料番号： C0229A  ISSN： 0018-9480  CODEN： IETMAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 新しいダイオード/抵抗二重バイアス給電回路を持つSiGe H...

シソーラス用語： *低雑音増幅器 ,...
準シソーラス用語： SiGe

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分類 (1件)： 増幅回路  (NC05040U)

タイトルに関連する用語 (7件)： SiGe ,  HBT ,  低雑音 ,  線形増幅器 ,  バイアス ,  給電回路 ,  設計