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J-GLOBAL ID：200902240865155266   整理番号：09A0531430

高濃度nドープしたゲルマニウムの光ルミネセンス増強

Enhanced photoluminescence of heavily n-doped germanium

著者 (9件)： EL KURDI M. (Inst. d’Electronique Fondamentale, CNRS-Univ Paris-Sud 11, Batiment 220, 91405 Orsay, FRA) ,  KOCINIEWSKI T. (Inst. d’Electronique Fondamentale, CNRS-Univ Paris-Sud 11, Batiment 220, 91405 Orsay, FRA) ,  NGO T.-p. (Inst. d’Electronique Fondamentale, CNRS-Univ Paris-Sud 11, Batiment 220, 91405 Orsay, FRA) ,  BOULMER J. (Inst. d’Electronique Fondamentale, CNRS-Univ Paris-Sud 11, Batiment 220, 91405 Orsay, FRA) ,  DEBARRE D. (Inst. d’Electronique Fondamentale, CNRS-Univ Paris-Sud 11, Batiment 220, 91405 Orsay, FRA) ,  BOUCAUD P. (Inst. d’Electronique Fondamentale, CNRS-Univ Paris-Sud 11, Batiment 220, 91405 Orsay, FRA) ,  DAMLENCOURT J. F. (CEA-DRT-LETI, 17 rue des martyrs 38054 Grenoble Cedex 9, FRA) ,  KERMARREC O. (STMicroelectronics, Rue Jean Monnet 38054 Crolles, FRA) ,  BENSAHEL D. (STMicroelectronics, Rue Jean Monnet 38054 Crolles, FRA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 94  号： 19  ページ： 191107  発行年： 2009年05月11日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 気体浸漬レーザ蒸着により高濃度nドープしたGe塊及び絶縁体上Geの直接バンドギャップ光ルミネセンスを,室温で有意に増強し得ることを示した。Ge塊及び絶縁体上Geの光ルミネセンス信号はドナー濃度と共に増大した。活性ドーパント濃度≒5×10¹⁹cm^-3の場合,非ドープ材料と比較した増強因子は1550nm付近で20倍であった。これらの結果は直接及び間接伝導バンドの谷における電子分布に及ぼすドーピング効果を考慮したGe自然放出の計算により支持された。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *光ルミネセンス ,  レーザ蒸着 ,  *ゲルマニウム ,  半導体材料 ,  ドナー ,  ドーパント ,  伝導バンド ,  *ドーピング

分類 (1件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (5件)： 高濃度 ,  ドープ ,  ゲルマニウム ,  光ルミネセンス ,  増強