様々な仕事関数で基板に成長させた窒化ほう素ナノ膜の電界放出特性

文献

J-GLOBAL ID：200902240889450676 整理番号：04A0709928

Field emission characteristics of boron nitride nanofilms deposited on substrate with various work functions

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資料名：
巻： 13 号： 4/8 ページ： 994-998 発行年： 2004年04月
JST資料番号： W0498A ISSN： 0925-9635 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

プラズマCVDでSiとステンレス短繊維編成のSSM(ステンレ...

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固体デバイス材料

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