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J-GLOBAL ID：200902241409861112   整理番号：09A0158034

常温接合を用いた波長変換デバイスの新たな作製法

著者 (3件)： 庄司一郎 (中央大 理工) ,  川路宗矩 (中央大 理工) ,  井村健 (中央大 理工)
資料名： レーザ加工学会誌  (Journal of Japan Laser Processing Society)
巻： 15  号： 4  ページ： 287-289  発行年： 2008年10月 
JST資料番号： L3905A  ISSN： 1881-6797  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： レーザの波長変換を可能にする擬似位相整合(QPM)構造波長変換デバイスをArビームを用いた常温接合で作製することを提案した。従来の波長変換の代表的な例である第二高調波発生(SHG)が完全な位相整合に基づいているのに対し,QPMデバイスは位相不整合時に,コヒーレンス長毎に非線形光学定数を反転させることで,本来打ち消し合いが生じるものを逆に強め合う状態にするものである。強度の増強にはデバイス長を長くする必要がある。このデバイスを構築するためには,結晶方位の異なる層を厳密に積層する必要がある。本稿では,GaAsの接合例を示した。接合は,接合面にArビームを照射し清浄化すると共にダングリングボンドを形成(活性化)し,常温で行なった。これを繰返すことで,6枚のGaAsからなるQPM構造を製造できた。この方法で,ZnSeも接合できることを示した。

シソーラス用語： *周波数変換 ,  *変換素子 ,  *接合 ,  アルゴンビーム ,  照射 ,  ダングリングボンド
準シソーラス用語： 清浄化

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (7件)：

• 川路宗矩, 井村 健,年河原由次, 庄司一郎: 常温接合による擬似位相整合波長変換デバイスの作製, 第55回応用物理学関係連合講演会講演予稿集,(2008), 1220.
• Armstrong, J. A., Bloembergen, N., Ducuing, J. and Pershan, P. S.: Interactions between light waves in a nonlinear dielectric, Phys. Rev., 127-6,(1962), 1918.
• Yamada, M., Nada, N., Saitoh, M. and Watanabe, K.: First-order quasiphase matched LiNbO₃ waveguide periodically poled by applying an external field for efficient blue second-harmonic generation, Appl. Phys. Lett., 62-5,(1993), 435.
• Koh, S., Kondo, T., Ebihara, M., Ishiwada, T., Sawada, H., Ichinose, H., Shoji, I. and Ito, R.: GaAs/Ge/GaAs sublattice reversal epitaxy on GaAs (100) and (111) substrate for nonlinear optical devices, Jpn. J. Anol. Phys., 38-5A,(1999), L508.
• 栗村 直, Fejer, M. M., 平等拓範, 上江洲由晃, 中島啓幾: 紫外波長変換をめざした擬似位相整合水晶, 応用物理, 69-5,(2000).548.

タイトルに関連する用語 (3件)： 常温接合 ,  波長変換 ,  作製法