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J-GLOBAL ID：200902241435142329   整理番号：03A0547743

誘電体の分布Bragg反射器を持つInGaN垂直共振器面発光レーザの低しきい値レーザ動作

Low-threshold lasing of InGaN vertical-cavity surface-emitting lasers with dielectric distributed Bragg reflectors

著者 (5件)： TAWARA T (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  GOTOH H (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  AKASAKA T (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  KOBAYASHI N (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  SAITOH T (NTT Corp., Kanagawa, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 83  号： 5  ページ： 830-832  発行年： 2003年08月04日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 13族窒化物の共振器から乾式エッチング法によってSiC基板を...

シソーラス用語： *インジウム化合物 ,...
準シソーラス用語： *VCSEL

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分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (8件)： 誘電体 ,  分布Bragg反射器 ,  InGaN ,  垂直 ,  共振器 ,  面発光レーザ ,  しきい値 ,  レーザ