MOVPEによって成長させたSbをドープしたZnSeの深い正孔捕獲準位

文献

J-GLOBAL ID：200902241487259798 整理番号：03A0817624

Deep hole trap levels of Sb-doped ZnSe grown by MOVPE

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資料名：
巻： 259 号： 3 ページ： 257-261 発行年： 2003年12月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

MOVPEでGaAs(100)単結晶基板上にSbをドープした...

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半導体の格子欠陥 , 不純物・欠陥の電子構造 , 半導体薄膜

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