CBr<sub>4</sub>によるC-doped GaAsSbエッチング時に現れる不均一表面構造の原因

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J-GLOBAL ID：200902241616495886 整理番号：04A0342708

CBr₄によるC-doped GaAsSbエッチング時に現れる不均一表面構造の原因

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資料名：
巻： 51st 号： 1 ページ： 344 発行年： 2004年03月28日
JST資料番号： Y0054A 資料種別：会議録 (C)
記事区分：短報発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

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半導体薄膜 , 半導体の表面構造

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