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J-GLOBAL ID：200902241747443474   整理番号：08A0630504

酸化インジウム-すず電極のホスホン酸改質 XPS/UPS/接触角組み合わせ研究

Phosphonic Acid Modification of Indium-Tin Oxide Electrodes: Combined XPS/UPS/Contact Angle Studies

著者 (9件)： PANIAGUA Sergio A. (Univ. Arizona, Arizona) ,  PANIAGUA Sergio A. (Univ. Costa Rica, San Jose, CRI) ,  HOTCHKISS Peter J. (Georgia Inst. of Technol., Georgia) ,  JONES Simon C. (Georgia Inst. of Technol., Georgia) ,  MARDER Seth R. (Georgia Inst. of Technol., Georgia) ,  MUDALIGE Anoma (Univ. Arizona, Arizona) ,  MARRIKAR F. Saneeha (Univ. Arizona, Arizona) ,  PEMBERTON Jeanne E. (Univ. Arizona, Arizona) ,  ARMSTRONG Neal R. (Univ. Arizona, Arizona)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 112  号： 21  ページ： 7809-7817  発行年： 2008年05月29日 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 広範囲のホスホン酸(PA)の化学吸着による酸素プラズマ(OP)処理された市販酸化インジウム-すず(ITO)表面の改質を研究した。ITO表面へ結合したPAの分子特性を確かめるため,表面振動分光法を用いて改質剤n-オクタデシルPA(ODPA)の1つの結合モードを特性評価した。次に全ての単分子膜集合をUV-光電子分光法(UPS),X線光電子分光法(XPS),および水およびヘキサデカン静的接触角測定によって特性評価した。3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,8-トリデカフルオロオクチルPAで,およびより少ない量のペンタフルオロベンジルPAで改質されたITO表面に対して,酸素プラズマ清浄によって得られた高い仕事関数が改質後も維持され,一方表面エネルギーの極性成分は低下することがわかった。

シソーラス用語： *電極 ,  *ホスホン酸 ,  *光電子分光法 ,  単分子反応 ,  *X線光電子分光法 ,  *接触角 ,  表面エネルギー ,  化学吸着 ,  プラズマ処理 ,  *表面改質 ,  表面振動 ,  仕事関数 ,  UPS【電子分光】
準シソーラス用語： *ITO電極

分類 (2件)： 電極過程  (CB07040U) ,  固-液界面  (CB12050B)

物質索引 (6件)： オクタデシルホスホン酸 ,  ヘキサデカン ,  ヘキシルホスホン酸 ,  3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,8-トリデカフルオロオクチルホスホン酸 ,  2,3,4,5,6-ペンタフルオロベンジルホスホン酸 ,  2,3,5,6-テトラフルオロ-1,4-フェニレンビス(ホスホン酸)

タイトルに関連する用語 (9件)： 酸化インジウム ,  すず ,  ホスホン酸 ,  改質 ,  XPS ,  UPS ,  接触角 ,  組み合わせ ,  研究