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J-GLOBAL ID：200902241808596163   整理番号：09A0171201

コロキュウム:グラフェンにおけるAndreev反射とKleinトンネリング

Colloquium: Andreev reflection and Klein tunneling in graphene

著者 (1件)： BEENAKKER C.W.J. (Universiteit Leiden, Leiden, NLD)
資料名： Reviews of Modern Physics  (Reviews of Modern Physics)
巻： 80  号： 4,Pt.1  ページ： 1337-1354  発行年： 2008年10月 
JST資料番号： D0518A  ISSN： 0034-6861  CODEN： RMPHAT  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 炭素の単層(グラフェン)で起こる2種類の電子過程を解説した。すなわち,1)超伝導体との界面における電子から正孔への転換(Andreev反射),2)p-n接合を通るトンネリング(Kleinトンネリング)である。いずれの過程も相対論的量子力学と似た点を持ち,各系で生じる励起は無質量のフェルミオンのDirac方程式により記述できる。グラフェンの常伝導および超伝導接合におけるカイラルトンネリングを統一的な観点から論じた。

シソーラス用語： *Andreev反射 ,  *トンネル効果 ,  炭素 ,  単一層 ,  超伝導体 ,  常伝導 ,  PN接合 ,  界面 ,  相対論的効果 ,  Dirac方程式 ,  Fermi系 ,  フェルミオン ,  カイラル対称性 ,  *グラフェン

分類 (2件)： その他の超伝導体の物性  (BM04025Q) ,  界面の電気的性質一般  (BM03081H)

タイトルに関連する用語 (3件)： グラフェン ,  Andreev反射 ,  Kleinトンネリング