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J-GLOBAL ID：200902241915110311   整理番号：09A0420771

2段階成長法で得られる12の柱面を持つInGaN結晶の面指数付けとCL特性

著者 (4件)： 蟹江壽 (東京理大 基礎工) ,  明石健一 (東京理大) ,  積木秀実 (東京理大 基礎工) ,  高橋慧多 (東京理大 基礎工)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 56th  号： 1  ページ： 387  発行年： 2009年03月30日 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 結晶成長 ,  *インジウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  *窒化物 ,  化合物半導体 ,  *陰極線ルミネセンス ,  *晶癖 ,  図形 ,  電子回折 ,  *窒化インジウムガリウム
準シソーラス用語： 電子後方散乱パタ-ン

分類 (2件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (6件)： 段階 ,  成長 ,  InGaN ,  結晶 ,  面指数 ,  Cl