O3を酸化剤として用いるALDによる酸化アルミニウム薄膜の低温(<100°C)析出

KIM Seong Keun; LEE Suk Woo; HWANG Cheol Seong; MIN Yo-Sep; WON Jeong Yeon; JEONG Jaehack

文献

J-GLOBAL ID：200902242136278652 整理番号：06A0402526

O3を酸化剤として用いるALDによる酸化アルミニウム薄膜の低温(<100°C)析出

Low Temperature (<100°C) Deposition of Aluminum Oxide Thin Films by ALD with O3 as Oxidant

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資料名：
巻： 153 号： 5 ページ： F69-F76 発行年： 2006年
JST資料番号： C0285A ISSN： 1945-7111 CODEN： JESOAN 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

アルミナ薄膜はプラスチック基板上の電界効果トランジスタ(FE...

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酸化物薄膜 , 固-気界面一般 , 塩基,金属酸化物

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O<sub>3</sub>を酸化剤として用いるALDによる酸化アルミニウム薄膜の低温(<100°C)析出