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J-GLOBAL ID：200902242437928032   整理番号：05A0599405

ほぼ大気圧下でのパルス放電を用いたプラズマ励起化学的気相成長による多結晶Si薄膜の無インキュベーション成長

Incubation-Free Growth of Polycrystalline Si Films by Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition Using Pulsed Discharge under Near Atmospheric Pressure

著者 (7件)： KITABATAKE Hirotatsu (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  SUEMITSU Maki (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  KITAHATA Hiroya (Sekisui Chemicals Co., Ltd., Ibaraki, JPN) ,  NAKAJIMA Setsuo (Sekisui Chemicals Co., Ltd., Ibaraki, JPN) ,  UEHARA Tsuyoshi (Sekisui Chemicals Co., Ltd., Ibaraki, JPN) ,  TOYOSHIMA Yasutake (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  TOYOSHIMA Yasutake (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 44  号： 20-23  ページ： L683-L686  発行年： 2005年06月10日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ほぼ大気圧下でのプラズマ励起化学的気相成長(PE-CVD)を...

シソーラス用語： パルス放電 ,...

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (11件)：

• 1) M. Matsumoto, M. Shima, S. Okamoto, K. Murata, M. Tanaka, S. Kiyama, H. Kakiuchi, K. Yasutake, K. Yoshii, K. Endo and Y. Mori: Proc. 3rd World Conf. Photovoltaic Energy Conversion, Osaka, 2003, p. 1552.
• 2) F. Edelman, A. Chack, R. Weil, R. Beserman, Yu. L. Khait, P. Werner, B. Reck, T. Roschek, R. Carius, H. Wagner and W. Beyer: Sol. Energy Mater. Sol. Cells 77 (2003) 125.
• 3) Y. Ide, Y. Saito, A. Yamada and M. Konagai: Jpn. J. Appl. Phys. 43 (2004) 2419.
• 4) M. Yuasa and T. Yara: Japan Patent 3040358 (1997).
• 5) U. K. Das, S. Morrison and A. Madan: J. Non-Cryst. Solids 299–302 (2002) 79.

タイトルに関連する用語 (9件)： 大気圧 ,  パルス放電 ,  プラズマ ,  励起 ,  化学的気相成長 ,  多結晶 ,  Si薄膜 ,  インキュベーション ,  成長