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J-GLOBAL ID:200902242539918791   整理番号:09A0758532

電子不足キラルジホスフィン配位子 室温にてアリールボロン酸のRh触媒不斉1,4-付加のための高性能

Electron-Poor Chiral Diphosphine Ligands: High Performance for Rh-Catalyzed Asymmetric 1,4-Addition of Arylboronic Acids at Room Temperature
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資料名:
巻: 11  号: 11  ページ: 2325-2328  発行年: 2009年06月04日 
JST資料番号: W1171A  ISSN: 1523-7060  CODEN: ORLEF7  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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新しい高度に電子不足なキラルジホスフィン配位子,MeO-F28-BIPHEP(F28)およびMeO-F12-BIPHEP(F12)を開発し,その強いπ-受容体能力により,室温でのRh触媒による1,4-付加のための触媒活性が大きく改良することを見出した。F28およびF12は,2,2′-ビス(ジクロロホスフィノ)-6,6′-ビス(ジメトキシ)-1,1′-ビフェニルをTHF中で過剰のC7F7LiまたはC6F3H2MgBrで処理することでそれぞれ中位の収率で対応のエナンチオマで生成した。F12配位子のRh触媒は20°Cでα,β-不飽和カルボニルへのアリールボロン酸の不斉1,4付加に対して高%eeで,高い触媒活性を示した。その強いπ-受容体能力により,触媒サイクルの第一ステップで,直接的に触媒前駆体[RhCl/F12]2へのアリールボロン酸の金属交換反応を導いた。
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分類 (2件):
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白金族元素の錯体  ,  貴金属触媒 
物質索引 (17件):
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