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J-GLOBAL ID：200902242553107062   整理番号：08A0979120

ディープトレンチエッチングとエピタキシャル成長により製作した並列ゲート構造を持つ600V以上の超接合MOSFETs

Super Junction MOSFETs above 600V with Parallel Gate Structure Fabricated by Deep Trench Etching and Epitaxial Growth

著者 (6件)： SUGI A. (Fuji Electric Device Technol. Co., Ltd., Nagano, JPN) ,  TAKEI M. (Fuji Electric Device Technol. Co., Ltd., Nagano, JPN) ,  TAKAHASHI K. (Fuji Electric Device Technol. Co., Ltd., Nagano, JPN) ,  YAJIMA A. (Fuji Electric Device Technol. Co., Ltd., Nagano, JPN) ,  TOMIZAWA H. (Fuji Electric Device Technol. Co., Ltd., Nagano, JPN) ,  NAKAZAWA H. (Fuji Electric Device Technol. Co., Ltd., Nagano, JPN)
資料名： Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs  (Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs)
巻： 20th  ページ： 165-168  発行年： 2008年 
JST資料番号： W1300A  ISSN： 1943-653X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 超接合(SJ)パワーMOSFETの製作方法について幾つかの方法が提案されているが,ディープトレンチエッチングとトレンチ充填法は低コストでSJのセルピッチを12μm以下に低減できる可能性を持っている。本稿では,並列ゲート構造を持つSJ-MOSFETと直交ゲート構造を持つSJ-MOSFETをディープトレンチエッチングとエピタキシャル成長によるトレンチ充填法を使って製作し,特性比較を行った。その結果,並列ゲート構造を持つSJ-MOSFETは,同じブレークダウン電圧の直交ゲート構造を持つSJ-MOSFETに比べて約30%低い17mΩcm²の特性オン抵抗を持つことが分かった。

シソーラス用語： MOSFET ,  電力トランジスタ ,  半導体接合 ,  *トレンチカット【加工】 ,  エピタクシー ,  *ゲート【半導体】 ,  *オン抵抗
準シソーラス用語： エピタキシャル成長 ,  *パワーMOSFET ,  ブレークダウン電圧 ,  超接合

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： エピタキシャル成長 ,  製作 ,  ゲート