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J-GLOBAL ID：200902242657669496   整理番号：08A0614548

マグネトロンスパッタリングで作成した(Zn,Cr)Te膜のミクロ構造,磁気およびスピン依存輸送特性

Microstructure, magnetic, and spin-dependent transport properties of (Zn,Cr)Te films fabricated by magnetron sputtering

著者 (11件)： WANG W.G. (Univ. Delaware, Delaware, USA) ,  YEE K.J. (Chungnam National Univ., Daejeon, KOR) ,  KIM D.H. (Yeungnam Univ., Gyeongsan, KOR) ,  HAN K.J. (Chungnam National Univ., Daejeon, KOR) ,  WANG X.R. (Hong Kong Univ. Sci. and Technol., Hong Kong SAR, CHN) ,  NI C. (Univ. Delaware, Delaware, USA) ,  MORIYAMA T. (Univ. Delaware, Delaware, USA) ,  MATHEW A. (Univ. Delaware, Delaware, USA) ,  OPILA R. (Univ. Delaware, Delaware, USA) ,  ZHU T. (Inst. Physics, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  XIAO John Q. (Univ. Delaware, Delaware, USA)
資料名： Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)
巻： 77  号： 15  ページ： 155207.1-155207.7  発行年： 2008年04月 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 様々なドーピング濃度のクロムドープテルル化亜鉛薄膜をマグネトロンスパッタリングにより作成した。膜は強磁性でCurie温度はCr濃度と共に高くなった。X線回折,透過型電子顕微鏡,磁気円二色性による特性評価を行った。膜はCr_1-xTe_x不純物を含まず,強磁性は固有のものであった。抵抗率と磁気抵抗は低温で可変飛程ホッピングで決まることが分った。5Kで-57%の負性磁気抵抗を観測した。磁気抵抗とその温度依存性は,ホッピング領域において磁場による局在長が増大する模型で説明できた。異常Hall効果も観測した。異常Hall抵抗と通常のHall抵抗の符号が異なる理由を論じた。

シソーラス用語： Curie温度 ,  Hall効果 ,  X線回折 ,  クロム化合物 ,  スパッタ蒸着 ,  テルル化物 ,  ドーピング ,  ホッピング伝導 ,  マグネトロンスパッタリング ,  *亜鉛化合物 ,  *異常Hall効果 ,  *強磁性 ,  金属薄膜 ,  磁気ヒステリシス ,  磁気円二色性 ,  *磁気抵抗効果 ,  *電気抵抗率 ,  電子スピン ,  透過型電子顕微鏡 ,  負性抵抗

分類 (2件)： その他の無機化合物の磁性  (BM06060P) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (8件)： マグネトロンスパッタリング ,  Zn ,  Cr ,  Te ,  ミクロ構造 ,  磁気 ,  スピン ,  輸送特性