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J-GLOBAL ID：200902242665712481   整理番号：04A0851827

歪BaTiO₃薄膜における強誘電性の増大

Enhancement of Ferroelectricity in Strained BaTiO₃ Thin Films

著者 (9件)： CHOI K J (Univ. Wisconsin-Madison, WI, USA) ,  BIEGALSKI M (Pennsylvania State Univ., PA, USA) ,  LI Y L (Pennsylvania State Univ., PA, USA) ,  SCHUBERT J (Forschungszentrum Juelich GmbH, Juelich, DEU) ,  UECKER R (Inst. Crystal Growth, Berlin, DEU) ,  REICHE P (Inst. Crystal Growth, Berlin, DEU) ,  CHEN Y B (Univ. Michigan, MI, USA) ,  PAN X Q (Univ. Michigan, MI, USA) ,  EOM C B (Univ. Wisconsin-Madison, WI, USA)
資料名： Science  (Science)
巻： 306  号： 5698  ページ： 1005-1009  発行年： 2004年11月05日 
JST資料番号： E0078A  ISSN： 0036-8075  CODEN： SCIEA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 表記薄膜の強誘電性が歪制御により著しく増大することを明らかに...

シソーラス用語： 格子歪 ,...
準シソーラス用語： 光変調器

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分類 (2件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (4件)： 歪 ,  BaTiO3 ,  薄膜 ,  強誘電性