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J-GLOBAL ID：200902242916668576   整理番号：05A0427100

MeVイオン照射による微小間隔電極の作製

Fabrication of Electrodes with a Nanometer Gap by MeV Ion Irradiation

著者 (5件)： NARUMI K. (JAERI/ASRC) ,  CHEANG-WONG J.-C. (Harvard Univ.) ,  SCHUERMANN G. M. (Harvard Univ.) ,  AZIZ M. J. (Harvard Univ.) ,  GOLOVCHENKO J. A. (Harvard Univ.)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 52nd  号： 2  ページ： 856  発行年： 2005年03月29日 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *イオン照射 ,...
準シソーラス用語： Pd₈₀Si₂₀

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分類 (3件)： その他の物質の放射線による構造と物性の変化  (BK16124V) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  気相めっき  (WC08022K)

タイトルに関連する用語 (3件)： イオン照射 ,  微小 ,  作製