文献

J-GLOBAL ID：200902242966292054   整理番号：04A0858269

インゴット焼きなましプロセスの間のGaAsバルク単結晶の転位密度解析 いくつかの計算法の比較

Dislocation density analysis of GaAs bulk single crystal during ingot annealing process (comparison among several computational methods)

著者 (3件)： MIYAZAKI N (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  KUMAMOTO A (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  HARADA C (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 271  号： 3/4  ページ： 358-367  発行年： 2004年11月15日 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 3つのコンピュータコードを,GaAs単結晶インゴットの焼きな...

シソーラス用語： *ヒ化ガリウム ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=04A0858269&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=B0942A") }}

分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (9件)： インゴット ,  焼きなまし ,  プロセス ,  GaAs ,  バルク ,  単結晶 ,  転位密度 ,  解析 ,  計算