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J-GLOBAL ID：200902242972000596   整理番号：08A1163657

高分子電子メモリー:材料,素子および機構

Polymer electronic memories: Materials, devices and mechanisms

著者 (6件)： LING Qi-dan (Dep. of Chemical and Biomolecular Engineering, National Univ. of Singapore, 10 Kent Ridge Crescent, Singapore 119260 ...) ,  LIAW Der-jang (Dep. of Chemical Engineering, National Taiwan Univ. of Sci. and Technol., 43, Section 4, Keelung Road, Taipei, Taiwan) ,  ZHU Chunxiang (SNDL, Dep. of Electrical and Computer Engineering, National Univ. of Singapore, 10 Kent Ridge Crescent, Singapore ...) ,  CHAN Daniel Siu-Hung (SNDL, Dep. of Electrical and Computer Engineering, National Univ. of Singapore, 10 Kent Ridge Crescent, Singapore ...) ,  KANG En-tang (Dep. of Chemical and Biomolecular Engineering, National Univ. of Singapore, 10 Kent Ridge Crescent, Singapore 119260 ...) ,  NEOH Koon-gee (Dep. of Chemical and Biomolecular Engineering, National Univ. of Singapore, 10 Kent Ridge Crescent, Singapore 119260 ...)
資料名： Progress in Polymer Science  (Progress in Polymer Science)
巻： 33  号： 10  ページ： 917-978  発行年： 2008年10月 
JST資料番号： B0802A  ISSN： 0079-6700  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高分子メモリーは近年有機エレクトロニクスの新興分野として活発な研究課題になりつつある。これはそれらがミクロスケールからナノスケールに小型化する問題と課題に直面している従来のメモリ技術を代替あるいは補足する技術でありそうであるためである。本レビューでは,ポリマ中の広範な既報告の電気スイッチング現象と対応する高分子電子メモリーの総括を行う。まず,メモリー技術の現状と電子メモリの幾つかの基本的な概念の一般的な紹介を行い,続いて,高分子電子メモリーの簡単な歴史的発展と幾つかの重要な進歩について述べる。その後に続く章では,高分子スイッチと3つの主要な回路要素であるキャパシタ,トランジスタおよび抵抗器の一つとの機構的類似性を描くことによって分類される高分子電子メモリの3つの分類を包括的にレビューする。材料の構造と性質,メモリ素子と動作機構との関係に力点を置いて説明する。最後に,高分子電子メモリーの分野の研究と開発が向きあっている課題を総括する。Copyright 2008 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *機能性高分子 ,  *記憶素子 ,  *スイッチング素子 ,  技術開発 ,  技術進歩 ,  レビュー ,  機能材料 ,  コンデンサ ,  トランジスタ ,  抵抗器 ,  分子構造
準シソーラス用語： 高分子スイッチ ,  高分子電子メモリー

分類 (2件)： 製品・半製品・利用一般  (YH06010U) ,  固体デバイス一般  (NC03010Z)

タイトルに関連する用語 (3件)： 高分子 ,  電子 ,  メモリー