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J-GLOBAL ID：200902243032553372   整理番号：07A0204132

Co₂MnSi(110)エピタキシャル薄膜を用いた強磁性トンネル接合の作製

Fabrication of Magnetic Tunnel Junction with Co₂MnSi(110) Epitaxial Film

著者 (5件)： 服部正志 (東北大 大学院工学研究科) ,  桜庭裕弥 (東北大 大学院工学研究科) ,  大兼幹彦 (東北大 大学院工学研究科) ,  安藤康夫 (東北大 大学院工学研究科) ,  宮崎照宣 (東北大 大学院工学研究科)
資料名： 日本応用磁気学会誌  (Journal of the Magnetics Society of Japan)
巻： 31  号： 2  ページ： 89-93  発行年： 2007年03月01日 
JST資料番号： Z0944A  ISSN： 0285-0192  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 著者らは,ホイスラー合金Co₂MnSi...

シソーラス用語： 金属薄膜 ,...
準シソーラス用語： ハーフメタル

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分類 (3件)： 金属の電子伝導一般  (BM03031E) ,  金属の結晶成長  (BK13030M) ,  磁電デバイス  (NC03100X)

引用文献 (12件)：

• 1) M. Julliere: Phys. Lett. A, 54, 225, (1975).
• 2) S. Ishida, S. Fujii, S. Kashiwagi and S. Asano: J. Phys. Soc. Jpn., 64, 2152, (1995).
• 3) I. Galanakis, P. H. Dederiches and N. Papanikolaou: Phys. Rev. B, 66, 174429, (2002).
• 4) Y. Sakuraba, M. Hattori, M. Oogane, Y. Ando, H. Kato, A. Sakuma and T. Miyazaki: Appl. Phys. Lett., 88, 192508, (2006).
• 5) Y. Sakuraba, T. Miyakoshi, M. Oogane, Y. Ando, A. Sakuma and T. Miyazaki: Appl. Phys. Lett., 89, 052508, (2006).

タイトルに関連する用語 (4件)： エピタキシャル ,  薄膜 ,  強磁性トンネル接合 ,  作製