低温分子線エピタクシーによるTlGaAs膜の成長に及ぼすTl含有量の効果

KAJIKAWA Y; KAMETANI M; KOBAYASHI N; NISHIMOTO N; YODO Y; KITANO Y; OHTANI Y

文献

J-GLOBAL ID：200902243349813299 整理番号：03A0117945

低温分子線エピタクシーによるTlGaAs膜の成長に及ぼすTl含有量の効果

Effect of Tl content on the growth of TlGaAs films by low-temperature molecular-beam epitaxy.

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資料名：
巻： 93 号： 3 ページ： 1409-1416 発行年： 2003年02月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

固体源MBEによりGaAs(001)基板上にTl濃度の異なる...

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半導体薄膜

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