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J-GLOBAL ID：200902243482977016   整理番号：08A0781491

p型酸化物半導体SnOを用いたpチャンネル薄膜トランジスタ

p-channel thin-film transistor using p-type oxide semiconductor, SnO

著者 (7件)： OGO Yoichi (Materials and Structures Lab., Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8503, JPN) ,  HIRAMATSU Hidenori (ERATO-SORST, JST, Frontier Res. Center, Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8503, JPN) ,  NOMURA Kenji (ERATO-SORST, JST, Frontier Res. Center, Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8503, JPN) ,  YANAGI Hiroshi (Materials and Structures Lab., Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8503, JPN) ,  KAMIYA Toshio (Materials and Structures Lab., Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8503, JPN) ,  HIRANO Masahiro (ERATO-SORST, JST, Frontier Res. Center, Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8503, JPN) ,  HOSONO Hideo (Materials and Structures Lab., Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8503, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 93  号： 3  ページ： 032113  発行年： 2008年07月21日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 知られているp型酸化物半導体の中で酸化錫(SnO)が高い正孔移動度を有し良好なp型酸化物薄膜トランジスタ(TFT)を作製できることを報告した。素子品質のSnO膜を(001)イットリア安定化ジルコニア基板上に575°Cでパルスレーザ蒸着した。膜のHall移動度は室温で2.4cm²V^-1s^-1であった。エピタキシャルSnOチャンネルを用いたトップゲートTFTの電界効果移動度は1.3cm²V^-1s^-1,オンオフ電流比は~10²,閾値電圧は4.8Vであった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *酸化スズ ,  *P型半導体 ,  *薄膜トランジスタ ,  セラミック ,  酸化ジルコニウム ,  レーザ蒸着 ,  Hall移動度 ,  キャリア移動度 ,  電圧 ,  エピタクシー ,  パルスレーザ蒸着
準シソーラス用語： イットリア安定化ジルコニア ,  電界効果移動度 ,  閾値電圧

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： 酸化物半導体 ,  チャンネル ,  薄膜トランジスタ