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J-GLOBAL ID：200902243622795169   整理番号：08A0251918

Fe₃O₄の電極を備えたトンネル接合における室温での大きい逆磁気抵抗

Large room-temperature inverse magnetoresistance in tunnel junctions with a Fe3O4 electrode

著者 (1件)： KADO T. (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Nanoelectronics Res. Inst., 1-1-1 Umezono, Tsukuba ...)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 92  号： 9  ページ： 092502  発行年： 2008年03月03日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Fe₃O₄と障壁層としてMgO,あるいはMgO/Al₂O₃を備えた3次元の強磁性金属電極から成る磁気トンネル接合(MTJ)を作製した。Fe₃O₄/MgO(5nm)/Al₂O₃(1nm)/CoFeから成るMTJは,-26%から18%の領域の室温(RT)磁気抵抗比を持ち,緩やかな熱処理を行ったFe₃O₄/MgOの界面を有するFe₃O₄/MgO(6nm)/CoFeから成るMTJは,RTにおいて-8%程度の逆トンネルMR比を持つことが分かった。また,バイアス電圧の絶対値が1Vの時に,MR比の符号が反転することが分かった。更に,|V|>1Vの場合には非トンネル電流が支配的なので,正常なMRが観測されることが分かった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 酸化鉄 ,  電極 ,  *トンネル接合 ,  室温 ,  *磁気抵抗 ,  拡散障壁 ,  酸化マグネシウム ,  酸化アルミニウム ,  三次元 ,  強磁性 ,  金属 ,  磁気抵抗効果 ,  コバルト合金 ,  鉄含有合金 ,  熱処理 ,  界面 ,  電圧 ,  符号 ,  電流

分類 (2件)： 金属の電子伝導一般  (BM03031E) ,  界面の電気的性質一般  (BM03081H)

タイトルに関連する用語 (3件)： トンネル接合 ,  室温 ,  磁気抵抗