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J-GLOBAL ID：200902243748681800   整理番号：04A0831890

歪みシリコンを特色とする90nmロジック技術

A 90-nm Logic Technology Featuring Strained-Silicon

著者 (9件)： THOMPSON S E (Intel Corp., OR, USA) ,  ARMSTRONG M (Intel Corp., OR, USA) ,  AUTH C (Intel Corp., OR, USA) ,  ALAVI M (Intel Corp., OR, USA) ,  BUEHLER M (Intel Corp., OR, USA) ,  CHAU R (Intel Corp., OR, USA) ,  CEA S (Intel Corp., OR, USA) ,  GHANI T (Intel Corp., OR, USA) ,  GLASS G (Intel Corp., OR, USA)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 51  号： 11  ページ： 1790-1797  発行年： 2004年11月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最先端90nm世代CMOSロジック技術に使用されるトランジス...

シソーラス用語： *MOSFET ,...
準シソーラス用語： 価電子帯

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (2件)： 歪みシリコン ,  ロジック