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J-GLOBAL ID：200902243882885994   整理番号：05A0046954

AgI半導体ナノ粒子のシリカ被覆

Silica-coating of AgI semiconductor nanoparticles
著者 (9件)：
KOBAYASHI Y

KOBAYASHI Y について

(Tohoku Univ., Sendai, JPN)

Tohoku Univ., Sendai, JPN について

, 
MISAWA K

MISAWA K について

(Tohoku Univ., Sendai, JPN)

Tohoku Univ., Sendai, JPN について

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TAKEDA M

TAKEDA M について

(Tohoku Univ., Sendai, JPN)

Tohoku Univ., Sendai, JPN について

, 
KOBAYASHI M

KOBAYASHI M について

(Tohoku Inst. of Technol., Sendai, JPN)

Tohoku Inst. of Technol., Sendai, JPN について

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SATAKE M

SATAKE M について

(Tohoku Univ., Sendai, JPN)

Tohoku Univ., Sendai, JPN について

, 
KAWAZOE Y

KAWAZOE Y について

(Tohoku Univ., Sendai, JPN)

Tohoku Univ., Sendai, JPN について

, 
OHUCHI N

OHUCHI N について

(Tohoku Univ., Sendai, JPN)

Tohoku Univ., Sendai, JPN について

, 
KASUYA A

KASUYA A について

(Tohoku Univ., Sendai, JPN)

Tohoku Univ., Sendai, JPN について

, 
KONNO M

KONNO M について

(Tohoku Univ., Sendai, JPN)

Tohoku Univ., Sendai, JPN について


資料名：
Colloids and Surfaces. A. Physicochemical and Engineering Aspects  (Colloids and Surfaces. A. Physicochemical and Engineering Aspects)

Colloids and Surfaces. A. Physicochemical and Engineering Aspects について


巻： 251  号： 1/3  ページ： 197-201  発行年： 2004年12月20日 
JST資料番号： A0539B  ISSN： 0927-7757  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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AgIナノ粒子のシリカ被覆方法を提案し,アルコキシド加水分解...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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*ヨウ化銀

ヨウ化銀 について

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準シソーラス用語：
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*シリカ

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分類 (2件)：
分類
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コロイド化学一般 
(CB11010C)

コロイド化学一般 について

,  酸化物薄膜 
(BK14050P)

酸化物薄膜 について

タイトルに関連する用語 (3件)：
タイトルに関連する用語
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AgI

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半導体ナノ粒子

半導体ナノ粒子 について

, 
シリカ被覆

シリカ被覆 について


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