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J-GLOBAL ID：200902244137965702   整理番号：09A1099214

GaNオンSiCのHEMT技術を使用した広帯域電力増幅器MMIC

A Wideband Power Amplifier MMIC Utilizing GaN on SiC HEMT Technology

著者 (7件)： CAMPBELL Charles (TriQuint Semiconductor, TX, USA) ,  LEE Cathy (TriQuint Semiconductor, TX, USA) ,  WILLIAMS Victoria (TriQuint Semiconductor, TX, USA) ,  KAO Ming-Yih (TriQuint Semiconductor, TX, USA) ,  TSERNG Hua-Quen (TriQuint Semiconductor, TX, USA) ,  SAUNIER Paul (TriQuint Semiconductor, TX, USA) ,  BALISTERI Tony (TriQuint Semiconductor, TX, USA)
資料名： IEEE Journal of Solid-State Circuits  (IEEE Journal of Solid-State Circuits)
巻： 44  号： 10  ページ： 2640-2647  発行年： 2009年10月 
JST資料番号： B0761A  ISSN： 0018-9200  CODEN： IJSCBC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 1.5~17GHzの不均一分布電力増幅器MMICの設計と性能を報告した。この5.54mm×2.77mmのデバイスは0.25μmデュアル電界プレートのGaNオンSiCトランジスタ技術を使用し,TriQuint半導体の3金属配線層のプロセスで集積した。1.5~17GHz帯域にわたり20%から38%のピーク電力付加効率(PAE)をもつ9Wから15Wの飽和出力電力を供給できた。増幅器MMICには30Vで500mAの正常バイアスを加え,小信号利得とリターンロスを測定した。また,+32dBm CW入力電力を用いて,出力電力と効率も測定した。いずれもシミュレーション結果に良く一致した。これらの結果は,このレンジの周波数をカバーするモノリシック個体電力増幅器に関して今まで報告されたものの内の最高値であった。

シソーラス用語： *HEMT ,  *炭化ケイ素 ,  *電力増幅器 ,  MMIC ,  電力付加効率 ,  バイアス ,  小信号利得 ,  減衰特性
準シソーラス用語： *GaN HEMT ,  *SiC ,  リターンロス

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  増幅回路  (NC05040U)

タイトルに関連する用語 (6件)： GaN ,  SiC ,  HEMT ,  広帯域 ,  電力増幅器 ,  MMIC