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J-GLOBAL ID：200902244327044344   整理番号：03A0459576

フェムト秒レーザパルスを照射した化合物半導体の表面における波長以下の波形の形成

Subwavelength ripple formation on the surfaces of compound semiconductors irradiated with femtosecond laser pulses

著者 (2件)： BOROWIEC A (McMaster Univ., Ontario, CAN) ,  HAUGEN H K (McMaster Univ., Ontario, CAN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 82  号： 25  ページ： 4462-4464  発行年： 2003年06月23日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 物質の透明域に相当する波長の多重パルスフェムト秒レーザの照射...

シソーラス用語： *パルスレーザ照射 ,...
準シソーラス用語： 禁止帯

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分類 (2件)： レーザ照射・損傷  (BK16040S) ,  半導体の表面構造  (BK15030A)

タイトルに関連する用語 (4件)： フェムト秒レーザパルス ,  化合物半導体 ,  波長 ,  波形