文献

J-GLOBAL ID：200902244431940602   整理番号：08A1148807

マルチフェロイック材料を用いたスピントロニクス

Spintronics with multiferroics

著者 (4件)： BEA H ,  GAJEK M ,  BIBES M ,  BARTHELEMY A
資料名： Journal of Physics. Condensed Matter  (Journal of Physics. Condensed Matter)
巻： 20  号： 43  ページ： 434221,1-11  発行年： 2008年10月29日 
JST資料番号： B0914B  ISSN： 0953-8984  CODEN： JCOMEL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： スピントロニクスへの応用に対するマルチフェロイックスの機能化に関する最近の研究をレビューした。特に,反強磁性で強誘電体であるBiFeO₃と,それを用いた何種類かのアーキテクチャに焦点を当てて述べた。例えば,これをトンネル障壁に用いると,Co電極および(La,Sr)MnO₃を電極に用いたとき大きなトンネル磁気抵抗効果が観測される。また,強磁性体との交換結合をもたらすこともできる。そのような交換結合のメカニズムは,磁化を電気的に制御し,スピントロニクスデバイスにロジック状態をもたらす道を示唆する。また,強磁性・強誘電体である(La,Bi)MnO₃を,トンネル障壁に用いた最近の結果を示した。(La,Bi)MnO₃超薄膜の強誘電特性から生じる二つの状態と,バリアが強磁性であることによるスピンフィルタ効果から生じる二つの状態とをもつ,全体で4つの抵抗状態をもつデバイスが得られることを記した。これらの結果は,強誘電分極がスピントロニクスに新しい機能をもたらすことを示した。

シソーラス用語： スピントロニクス ,  *強誘電性 ,  *反強磁性 ,  ビスマス化合物 ,  *鉄酸塩 ,  ポテンシャル障壁 ,  磁気抵抗効果 ,  電極 ,  コバルト ,  ランタン化合物 ,  *マンガン酸塩 ,  ストロンチウム化合物 ,  置換型固溶体 ,  超薄膜 ,  X線回折 ,  結晶構造 ,  誘電分極 ,  温度依存性 ,  中性子回折 ,  磁気ヒステリシス ,  電流電圧特性 ,  トンネル磁気抵抗効果 ,  マルチフェロイック材料
準シソーラス用語： トンネル障壁 ,  マルチフェロイック物質

分類 (2件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  酸化物結晶の磁性  (BM06050E)

タイトルに関連する用語 (2件)： マルチフェロイック材料 ,  スピントロニクス