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J-GLOBAL ID:200902244670359601   整理番号:08A0605096

0.18μmCMOS技術での40Gb/s相互インピーダンス増幅器

A 40-Gb/s Transimpedance Amplifier in 0.18-μm CMOS Technology
著者 (2件):
資料名:
巻: 43  号:ページ: 1449-1457  発行年: 2008年06月 
JST資料番号: B0761A  ISSN: 0018-9200  CODEN: IJSCBC  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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0.18μmのCMOS技術による40Gb/sの相互インピーダンス増幅器(TIA)について,計測したS-パラメータから相互インピーダンスゲインと帯域を求めた。相互インピーダンスゲインは51dBΩ,帯域は3dBから30.5GHzであったが,πタイプのインダクターピーキング(PIP)により帯域拡張レート(BWER)を3.31にでき,操作周波数の増加と共にノイズ電流は減少した。計測の結果,TIAは1.8V以下の電圧の時に1.17×0.46mm2のチップ領域で60.1mWの消費電力となり,回路の帯域は30.5GHz,直流電流の性能係数(GBP/PDC)は180.1GHzΩ/mWだった。
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増幅回路 
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