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J-GLOBAL ID：200902244831898150   整理番号：08A0007453

第6世代IGBTモジュール「VシリーズPIM」

6th IGBT-PIM with New Chip and Package Technologies

著者 (3件)： 仲野逸人 (富士電機デバイステクノロジー) ,  小野澤勇一 (富士電機デバイステクノロジー) ,  井川修 (富士電機デバイステクノロジー)
資料名： 富士時報  (Fuji Electric Journal)
巻： 80  号： 6  ページ： 388-392  発行年： 2007年11月10日 
JST資料番号： F0080A  ISSN： 0367-3332  CODEN： FUJIA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 本稿では,富士電機の第6世代IGBTモジュール「VシリーズP...

シソーラス用語： 地球温暖化 ,...
準シソーラス用語： 熱放射 ,...

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分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (3件)：

• Laska, T. et al. The Field Stop IGBT (FS IGBT) -A New Power Device Concept with a grate improvement Potential. Proc. ISPSD 2000. p. 355-358.
• Nemoto, M. et al. An Advanced FWD Design Concept with Superior Soft Reverse Recovery Characteristics. Proc. ISPSD 2000. p. 119-122.
• Otsuki, M. et al. Investigation on the short circuit capability of 1, 200 V trench gate field-stop IGBTs. Proc. ISPSD 2002. p. 281-284.

タイトルに関連する用語 (4件)： 世代 ,  IGBT ,  モジュール ,  PIM