文献

J-GLOBAL ID：200902244939443280   整理番号：08A0449055

グラフェンにおけるゲート可変光学遷移

Gate-Variable Optical Transitions in Graphene

著者 (11件)： WANG Feng (Univ. California at Berkeley, CA, USA) ,  ZHANG Yuanbo (Univ. California at Berkeley, CA, USA) ,  TIAN Chuanshan (Univ. California at Berkeley, CA, USA) ,  GIRIT Caglar (Univ. California at Berkeley, CA, USA) ,  GIRIT Caglar (Lawrence Berkeley National Lab., CA, USA) ,  ZETTL Alex (Univ. California at Berkeley, CA, USA) ,  ZETTL Alex (Lawrence Berkeley National Lab., CA, USA) ,  CROMMIE Michael (Univ. California at Berkeley, CA, USA) ,  CROMMIE Michael (Lawrence Berkeley National Lab., CA, USA) ,  SHEN Y. Ron (Univ. California at Berkeley, CA, USA) ,  SHEN Y. Ron (Lawrence Berkeley National Lab., CA, USA)
資料名： Science  (Science)
巻： 320  号： 5873  ページ： 206-209  発行年： 2008年04月11日 
JST資料番号： E0078A  ISSN： 0036-8075  CODEN： SCIEA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 赤外分光法を用いてグラフェンの単層および二重層におけるバンド間光学遷移を調べた。それらは明白に異なる光学応答を示した。通常の材料と違って,グラフェンでは光学遷移を電気ゲート作用により大幅に変えることができる。正規化されたゲート誘起の遷移強度の変化は1の程度に近づく。場効果により変調される電気伝導率は長い間にわたって現代エレクトロニクスの基礎であったが,電気ゲート作用による光学遷移のこのように大きな変調は異常である。グラフェンの特別な挙動は,一つの原子層に電子を閉じ込めるその2次元構造そしてDirac点近傍でのその低い状態密度に起因する。Dirac点はFermiエネルギーをキャリアー密度の変動により有意にシフトさせる。

シソーラス用語： *グラファイト ,  *赤外分光法 ,  *電子遷移 ,  *ゲート【半導体】 ,  バンドギャップ ,  電気伝導率 ,  *可変性 ,  状態密度 ,  Fermi準位 ,  *半導体 ,  グラフェン ,  光学遷移

分類 (1件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (4件)： グラフェン ,  ゲート ,  可変 ,  光学遷移