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J-GLOBAL ID:200902244939443280   整理番号:08A0449055

グラフェンにおけるゲート可変光学遷移

Gate-Variable Optical Transitions in Graphene
著者 (11件):
資料名:
巻: 320  号: 5873  ページ: 206-209  発行年: 2008年04月11日 
JST資料番号: E0078A  ISSN: 0036-8075  CODEN: SCIEA  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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赤外分光法を用いてグラフェンの単層および二重層におけるバンド間光学遷移を調べた。それらは明白に異なる光学応答を示した。通常の材料と違って,グラフェンでは光学遷移を電気ゲート作用により大幅に変えることができる。正規化されたゲート誘起の遷移強度の変化は1の程度に近づく。場効果により変調される電気伝導率は長い間にわたって現代エレクトロニクスの基礎であったが,電気ゲート作用による光学遷移のこのように大きな変調は異常である。グラフェンの特別な挙動は,一つの原子層に電子を閉じ込めるその2次元構造そしてDirac点近傍でのその低い状態密度に起因する。Dirac点はFermiエネルギーをキャリアー密度の変動により有意にシフトさせる。
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分類 (1件):
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半導体結晶の電子構造 
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