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J-GLOBAL ID:200902245205673061   整理番号:02A0946938

rfマグネトロンスパッタリングプロセスによって作製したCu2ZnSnS4薄膜の電気と光学特性

Electrical and optical properties of Cu2ZnSnS4 thin films prepared by rf magnetron sputtering process.
著者 (5件):
資料名:
巻: 75  号: 1/2  ページ: 155-162  発行年: 2003年01月 
JST資料番号: D0513C  ISSN: 0927-0248  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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標記の薄膜を,rfマグネトロンスパッタリングにより基板加熱し...
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分類 (2件):
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半導体薄膜  ,  光物性一般 

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