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J-GLOBAL ID：200902245205673061   整理番号：02A0946938

rfマグネトロンスパッタリングプロセスによって作製したCu₂ZnSnS₄薄膜の電気と光学特性

Electrical and optical properties of Cu₂ZnSnS₄ thin films prepared by rf magnetron sputtering process.

著者 (5件)： SEOL J-S (Yeungnam Univ., Yeungnam, KOR) ,  LEE S-Y (Yeungnam Univ., Yeungnam, KOR) ,  LEE J-C (Yeungnam Univ., Yeungnam, KOR) ,  NAM H-D (Yeungnam Univ., Yeungnam, KOR) ,  KIM K-H (Yeungnam Univ., Yeungnam, KOR)
資料名： Solar Energy Materials and Solar Cells  (Solar Energy Materials and Solar Cells)
巻： 75  号： 1/2  ページ： 155-162  発行年： 2003年01月 
JST資料番号： D0513C  ISSN： 0927-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標記の薄膜を,rfマグネトロンスパッタリングにより基板加熱し...

シソーラス用語： RFスパッタリング ,...

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  光物性一般  (BM08010A)

タイトルに関連する用語 (6件)： RFマグネトロンスパッタリング ,  プロセス ,  作製 ,  Cu2ZnSnS4 ,  薄膜 ,  光学特性