フラックス法による高品質窒化ガリウムの結晶成長

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J-GLOBAL ID：200902245456149337 整理番号：05A0032821

High Quality Crystal Growth of Gallium Nitride by Flux Method

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号： 30 ページ： 9-19 発行年： 2004年12月01日
JST資料番号： Z0825A ISSN： 0387-7795 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

青色発光ダイオードなど窒化ガリウム(GaN)系材料を用いた半...

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半導体の結晶成長

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