文献
J-GLOBAL ID:200902245477488174   整理番号:09A1071316

規則構造のメソ多孔質SBA-15型グラファイト炭素窒化物:可視光による光触媒水素発生の半導体ホスト構造

Ordered Mesoporous SBA-15 Type Graphitic Carbon Nitride: A Semiconductor Host Structure for Photocatalytic Hydrogen Evolution with Visible Light
著者 (10件):
資料名:
巻: 21  号: 18  ページ: 4093-4095  発行年: 2009年09月22日 
JST資料番号: T0893A  ISSN: 0897-4756  CODEN: CMATEX  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
グラファイト炭素窒化物は2.7eVのバンドギャップを有するバンド構造を持ち,可視光による水分解サイクルに対して光触媒活性を示す。SBA-15メソ多孔質シリカを鋳型として作製した規則構造メソ多孔質グラファイト炭素窒化物(ompg-C<sub>3</sub>N<sub>4</sub>)は高度に規則的な多孔構造を持つが,その光触媒としての性質については未だ報告が無いため,本研究ではompg-C<sub>3</sub>N<sub>4</sub>の可視光下での水分解による水素生成に対する光触媒作用について調べ,g-C<sub>3</sub>N<sub>4</sub>との比較を行った。ompg-C<sub>3</sub>N<sub>4</sub>はλ<420nmの可視光照射下で電子ドナーが存在すると水の光化学還元を行い,H<sub>2</sub>発生量はバルクのg-C<sub>3</sub>N<sub>4</sub>の約5倍高い。H<sub>2</sub>発生速度の傾向は光学スペクトルの吸収と一致することからかなりクリーンな半導体構造を持っていることを示唆する。H<sub>2</sub>発生は約590nmまで観察され,これはompg-C<sub>3</sub>N<sub>4</sub>のバンドギャップ遷移に相当する。様々のクロモホアアンテナ分子,水還元助触媒及び/または水-酸化錯体をompg-C<sub>3</sub>N<sub>4</sub>ホストマトリックスにコアセンブルすることにより水分解だけでなく選択的有機合成を目的とする新しいバイオミメティック光触媒系が構築される可能性がある。
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
光化学反応  ,  炭素とその化合物 

前のページに戻る