CeO<sub>2</sub>(100)/Si(100)の電子ビーム誘起配向選択エピタクシーにおける成長パラメータの最適化

INOUE T.; OHTAKE H.; OTANI J.; SHIDA S.

文献

J-GLOBAL ID：200902245777711878 整理番号：08A1099519

CeO₂(100)/Si(100)の電子ビーム誘起配向選択エピタクシーにおける成長パラメータの最適化

Optimization of Growth Parameters in Electron-Beam-Induced Orientation Selective Epitaxy of CeO₂(100)/Si(100) Structures

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資料名：
巻： 155 号： 11 ページ： G237-G240 発行年： 2008年
JST資料番号： C0285A ISSN： 1945-7111 CODEN： JESOAN 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

反応性マグネトロンスパッタリングにおける基板バイアス制御によるSi(100)基板上のCeO₂(100)層およびCeO₂(110)層の配向選択エピタクシ(OSE)にもとづいて,基板バイアスの代わりに電子ビーム照射によって誘起されるCeO₂(100)層のOSE成長を見いだした。結晶品位および界面特性を改善するために,酸素ラジカルビームの効果を含む入射電子エネルギーおよび酸素流速の成長パラメータを解析した。電子ビーム誘起OSE法は二次元空間変化OSEへの可能性を開いた。

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固-気界面一般 , 塩基,金属酸化物

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CeO2(100)/Si(100)の電子ビーム誘起配向選択エピタクシーにおける成長パラメータの最適化

CeO₂(100)/Si(100)の電子ビーム誘起配向選択エピタクシーにおける成長パラメータの最適化