文献

J-GLOBAL ID：200902245983942835   整理番号：06A1002286

磁性・非磁性金属多層膜堆積過程の分子動力学解析

著者 (2件)： 米谷雄介 (電通大 大学院) ,  新谷一人 (電通大)
資料名： 日本機械学会計算力学講演会講演論文集  (日本機械学会計算力学講演会講演概要集)
巻： 19th  ページ： 617-618  発行年： 2006年11月02日 
JST資料番号： L0203A  ISSN： 1348-026X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 巨大磁気抵抗(GMR)素子は,2つの磁性層とその間の非磁性層...

シソーラス用語： 磁性材料 ,...
準シソーラス用語： 界面状態 ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=06A1002286&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=L0203A") }}

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  金属薄膜  (BK14030T)

タイトルに関連する用語 (6件)： 磁性 ,  非磁性金属 ,  多層膜 ,  堆積過程 ,  分子動力学 ,  解析