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J-GLOBAL ID：200902246546168850   整理番号：05A1011859

SiGeヘテロ構造の作製技術とその特性

Fabrication technology of SiGe hetero-structures and their properties
著者 (2件)：
SHIRAKI Yasuhiro

SHIRAKI Yasuhiro について

(Advanced Res. Laboratories, Musashi Inst. of Technol., 8-15-1 Todoroki Setagaya-ku, Tokyo, JPN)

Advanced Res. Laboratories, Musashi Inst. of Technol., 8-15-1 Todoroki Setagaya-ku, Tokyo, JPN について

, 
SAKAI Akira

SAKAI Akira について

(Dep. of Crystalline Materials Sci., Graduate School of Engineering, Nagoya Univ., Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya, JPN)

Dep. of Crystalline Materials Sci., Graduate School of Engineering, Nagoya Univ., Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya, JPN について


資料名：
Surface Science Reports  (Surface Science Reports)

Surface Science Reports について


巻： 59  号： 7-8  ページ： 153-207  発行年： 2005年11月 
JST資料番号： E0422B  ISSN： 0167-5729  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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SiGeヘテロ構造は,最新技術Si素子,特にVLSIの改良,...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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*ケイ素合金

ケイ素合金 について

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準シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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歪緩和

歪緩和 について


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分類 (3件)：
分類
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13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合 
(BM03083P)

13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合 について

,  半導体薄膜 
(BK14040E)

半導体薄膜 について

,  固体デバイス製造技術一般 
(NC03030V)

固体デバイス製造技術一般 について

タイトルに関連する用語 (3件)：
タイトルに関連する用語
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SiGe

SiGe について

, 
ヘテロ構造

ヘテロ構造 について

, 
作製

作製 について


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