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J-GLOBAL ID：200902246575546170   整理番号：08A0235741

光増幅用エルビウムとシリコンナノ結晶

Erbium and Silicon nanocrystals for light amplification

著者 (6件)： DALDOSSO N. (Universita di Trento, Trento, ITA) ,  NAVARRO-URRIOS D. (Universita di Trento, Trento, ITA) ,  PITANTI A. (Universita di Trento, Trento, ITA) ,  GOURBILLEAU F. (ENSICAEN, CAEN, FRA) ,  RIZK R. (ENSICAEN, CAEN, FRA) ,  PAVESI L. (Universita di Trento, Trento, ITA)
資料名： Conference Proceedings. IEEE LEOS Annual Meeting (IEEE Lasers and Electro-Optics Society)  (Conference Proceedings. IEEE LEOS Annual Meeting (IEEE Lasers and Electro-Optics Society))
巻： 20th Vol.2  ページ： 933-934  発行年： 2007年 
JST資料番号： T0931A  ISSN： 1092-8081  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 集積EDWA(エルビウムドープ導波路増幅器)はプレーナフォトニック回路の基本素子であり,できるだけコンパクトで安価に製作する努力がなされている。ErドープSiリッチシリカ層に的を絞って研究した。導波路は反応性マグネトロン共スパッタリングによって製作した。膜中のSi過剰混入は,シリカターゲットがもたらす酸素を還元する能力から,水素をプラズマに混ぜて得た。1μm厚のEr/SRO(シリコンリッチ酸化膜)層を蒸着後に,1μm厚のSiO₂クラッディング層を純アルゴンプラズマ中のSiO₂ターゲットのスパッタリングによって蒸着し,その後ウエハを純N₂フラックス下で各時間と温度でアニールしてEr³⁺を活性化させ,ナノクラスタ中にSi過剰の析出を誘発させて,Si-ncとEr³⁺イオン間のエネルギー移動を改良した。

シソーラス用語： 光増幅 ,  エルビウム ,  ケイ素 ,  *微結晶 ,  ドーピング ,  *光導波路 ,  *光増幅器 ,  平面回路 ,  光学素子 ,  光回路 ,  マグネトロンスパッタリング ,  酸素 ,  水素 ,  酸化膜 ,  二酸化ケイ素 ,  被覆 ,  アルゴン ,  ターゲット ,  窒素 ,  焼なまし ,  エネルギー移動
準シソーラス用語： シリカ

分類 (2件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  光導波路,光ファイバ,繊維光学  (BD06030H)

タイトルに関連する用語 (3件)： 光増幅 ,  エルビウム ,  シリコンナノ結晶