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J-GLOBAL ID：200902246687122713   整理番号：08A0733616

硫黄共注入と偏析を用いた非対称形ショットキー障壁を特徴とする新規のNiGe MSM光検出器

Novel NiGe MSM Photodetector Featuring Asymmetrical Schottky Barriers Using Sulfur Co-Implantation and Segregation

著者 (6件)： ANG Kah-Wee (A*STAR, Singapore) ,  YU Ming-Bin (A*STAR, Singapore) ,  ZHU Shi-Yang (A*STAR, Singapore) ,  CHUA Khai-Tze (A*STAR, Singapore) ,  LO Guo-Qiang (A*STAR, Singapore) ,  KWONG Dim-Lee (A*STAR, Singapore)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 29  号： 7  ページ： 708-710  発行年： 2008年07月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 硫黄共注入とNiGe/Ge界面での偏析を用いて,新規の非対称形ショットキー障壁金属-半導体-金属(MSM)光検知器を実現することに成功した。ゲルマニウム化物-半導体界面に硫黄を導入することにより,フェルミ準位を伝導帯端に固定し,正孔ショットキー障壁高さを拡大した。その結果,従来型MSM光検出器より,3桁以上の大幅な暗電流低減を得ることができた。1.0Vのバイアス電圧で動作した場合,804μm²の面積をもつ光検出器のスペクトル応答と相当する量子効率は各々,~0.36A/Wと~34%を示した。さらに,周波数応答測定から,1550nmの照射光子波長で~15GHzの-3dB帯域幅を実現した。これらの結果から,新規のショットキー障壁MSM光検出器は低コスト光通信応用用として魅力的であることを示した。

シソーラス用語： *MSM構造 ,  *光検出器 ,  ゲルマニウム ,  SOI構造 ,  *Schottky障壁 ,  *ニッケル化合物 ,  *ゲルマニウム化合物 ,  偏析 ,  Fermi準位 ,  正孔 ,  伝導バンド ,  暗電流 ,  量子効率 ,  周波数応答 ,  帯域幅

分類 (1件)： その他の光伝送素子  (BD06040S)

タイトルに関連する用語 (7件)： 硫黄 ,  共注入 ,  偏析 ,  非対称形 ,  ショットキー障壁 ,  MSM ,  光検出器