文献

J-GLOBAL ID：200902246711889656   整理番号：09A1171802

Bi₅Nb₃O₁₅皮膜の漏洩電流の機構と漏洩電流への酸素空孔の影響

Leakage current mechanism and effect of oxygen vacancy on the leakage current of Bi₅Nb₃O₁₅ films

著者 (8件)： CHO Kyung-hoon (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Korea Univ., 1-5 Ka, Anam-Dong, Sungbuk-Ku, Seoul 136-701, KOR) ,  CHOI Chang-hak (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Korea Univ., 1-5 Ka, Anam-Dong, Sungbuk-Ku, Seoul 136-701, KOR) ,  CHOI Joo-young (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Korea Univ., 1-5 Ka, Anam-Dong, Sungbuk-Ku, Seoul 136-701, KOR) ,  SEONG Tae-geun (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Korea Univ., 1-5 Ka, Anam-Dong, Sungbuk-Ku, Seoul 136-701, KOR) ,  NAHM Sahn (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Korea Univ., 1-5 Ka, Anam-Dong, Sungbuk-Ku, Seoul 136-701, KOR) ,  KANG Chong-yun (Thin Film Materials Res. Center Korea Inst. of Sci. and Technol., 39-1, Hawolgok-Dong, Sungbuk-Ku, Seoul 136-791, KOR) ,  YOON Seok-jin (Thin Film Materials Res. Center Korea Inst. of Sci. and Technol., 39-1, Hawolgok-Dong, Sungbuk-Ku, Seoul 136-791, KOR) ,  KIM Jong-hee (Korea Inst. of Ceramic Engineering and Technol., 233-5, Gasan-Dong, Guemcheon-Gu, Seoul 153-801, KOR)
資料名： Journal of the European Ceramic Society  (Journal of the European Ceramic Society)
巻： 30  号： 2  ページ： 513-516  発行年： 2010年01月 
JST資料番号： E0801B  ISSN： 0955-2219  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Pt電極に育成したBi₅Nb₃O₁₅(B₅N₃)皮膜の漏洩電流密度への酸素分圧(OPP)の影響を調査した。1.7mTorrの低OPPの下で育成した皮膜では,漏洩電流強度は非常に高かった。しかし,その後の高酸素圧下でのアニーリングによって,これは,かなり減少した。または,5.1mTorrの高OPPの下で育成した皮膜でも,漏洩電流は低くなった。OPPの変化に伴う漏洩電流密度の変化は,Pt電極とB₅N₃皮膜の間の界面に電子トラップサイトを形成する酸素空孔の数によって説明される。Schottky放射が,B₅N₃皮膜の漏洩電流の機構と考えた。Pt電極と5.1mTorrの高いOPPの下で育成したB₅N₃皮膜の間の障壁の高さは約1.55eVであった。しかし,1.7mTorrの低いOPPの下で育成した皮膜では,酸素空孔の存在のために,0.81eVに減少した。Copyright 2009 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ビスマス化合物 ,  *ニオブ酸塩 ,  *蒸着膜 ,  スパッタ蒸着 ,  マグネトロンスパッタリング ,  RFスパッタリング ,  白金電極 ,  *空孔欠陥 ,  *酸素 ,  *漏れ電流 ,  電流密度 ,  分圧 ,  ウエハ【IC】 ,  半導体材料 ,  白金 ,  チタン ,  多層膜 ,  二酸化ケイ素
準シソーラス用語： シリカ ,  ケイ素基板 ,  *ニオブ酸ビスマス ,  酸素分圧

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (3件)： 皮膜 ,  漏洩電流 ,  酸素空孔