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J-GLOBAL ID：200902246738575815   整理番号：08A0282870

化学的に導出したきわめて滑らかなグラフェンナノリボン半導体

Chemically Derived, Ultrasmooth Graphene Nanoribbon Semiconductors

著者 (5件)： LI Xiaolin (Stanford Univ., CA, USA) ,  WANG Xinran (Stanford Univ., CA, USA) ,  ZHANG Li (Stanford Univ., CA, USA) ,  LEE Sangwon (Stanford Univ., CA, USA) ,  DAI Hongjie (Stanford Univ., CA, USA)
資料名： Science  (Science)
巻： 319  号： 5867  ページ： 1229-1232  発行年： 2008年02月29日 
JST資料番号： E0078A  ISSN： 0036-8075  CODEN： SCIEA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 広く利用でき,豊富なグラファイト物質を用いることによって,グラフェンナノリボン(GNRs)を作製するための簡単な化学的方法を開発できることを報告した。その方法によって基板上に堆積した物質を原子間力顕微鏡(AFM)によって評価した。得られたGNRsの高さは,1~1.8nmの間であり,単一層に相当していた。また,平均長さは約1μmであった。さらに,滑らかな端部が観察された。また,得られたGNRsによって電界効果トランジスタ(FET)様素子を作製した。その素子のソース/ドレイン金属接触には,パラジウムを用い,チャネル長は約200nmである。素子の室温での電流電圧特性を測定し,オンオフ比を求めた。また,オンオフ比から,GNRsのバンドギャップを評価した。

シソーラス用語： *グラファイト ,  *ナノ構造 ,  半導体 ,  基板 ,  半導体薄膜 ,  原子間力顕微鏡 ,  化学合成 ,  *FET【トランジスタ】 ,  単一層 ,  平滑度 ,  表面粗さ ,  *グラフェン
準シソーラス用語： *ナノリボン

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： 化学 ,  導出 ,  グラフェンナノリボン