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J-GLOBAL ID：200902246875445457   整理番号：08A0533405

電気化学的トップゲートグラフェントランジスタでのRaman散乱によるドーパントのモニタリング

Monitoring dopants by Raman scattering in an electrochemically top-gated graphene transistor

著者 (11件)： DAS A. (Indian Inst. Sci., Bangalore, IND) ,  PISANA S. (Cambridge Univ., Cambridge, GBR) ,  CHAKRABORTY B. (Indian Inst. Sci., Bangalore, IND) ,  PISCANEC S. (Cambridge Univ., Cambridge, GBR) ,  SAHA S.K. (Indian Inst. Sci., Bangalore, IND) ,  WAGHMARE U.V. (Jawaharlal Nehru Centre for Advanced Scientific Res., Bangalore, IND) ,  NOVOSELOV K.S. (Manchester Univ., Manchester, GBR) ,  KRISHNAMURTHY H.R. (Indian Inst. Sci., Bangalore, IND) ,  GEIM A.K. (Manchester Univ., Manchester, GBR) ,  FERRARI A.C. (Cambridge Univ., Cambridge, GBR) ,  SOOD A.K. (Indian Inst. Sci., Bangalore, IND)
資料名： Nature Nanotechnology  (Nature Nanotechnology)
巻： 3  号： 4  ページ： 210-215  発行年： 2008年04月 
JST資料番号： W2059A  ISSN： 1748-3387  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電気化学的トップゲートグラフェントランジスタでのRaman散乱測定を行った。ゲート電圧を-2.2Vから+4.0Vの間で変化させ,それぞれのゲート電圧でのRamanスペクトルを測定した。特に,グラフェンでのRamanスペクトルのブリルアンゾーンでのΓ点フォノンに伴う約1584cm^-1でのG帯とK+Δk点でのフォノンに伴う約2700cm^-1での2D帯を測定した。G帯のピークと2D帯のピークの位置とG帯のピークのFWHMはドーピングの関数として変化することを示した。また,G帯のピークのRamanシフトは,V_TG=V_nTG約0.6Vで,最小値約1583.1cm^-1を示し,正孔ドーピングに対して,30^-1以上まで増加し,電子ドーピングに対して25cm^-1まで増加した。また,G帯のピークと2D帯のピークの強度比の変化を示した。

シソーラス用語： *Ramanスペクトル ,  *グラファイト ,  *トランジスタ ,  *ドーパント ,  監視 ,  FWHM ,  電圧
準シソーラス用語： モニタリング ,  ゲート電圧

分類 (1件)： 赤外スペクトル及びRaman散乱,Ramanスペクトル一般  (BM08061U)

タイトルに関連する用語 (4件)： 電気化学 ,  Raman散乱 ,  ドーパント ,  モニタリング