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J-GLOBAL ID：200902246985392731   整理番号：04A0626008

超高品質炭化ケイ素単結晶

Ultrahigh-quality silicon carbide single crystals

著者 (8件)： NAKAMURA D (Toyota Central R&D Lab., Inc., Aichi, JPN) ,  GUNJISHIMA I (Toyota Central R&D Lab., Inc., Aichi, JPN) ,  YAMAGUCHI S (Toyota Central R&D Lab., Inc., Aichi, JPN) ,  ITO T (Toyota Central R&D Lab., Inc., Aichi, JPN) ,  OKAMOTO A (Toyota Central R&D Lab., Inc., Aichi, JPN) ,  KONDO H (DENSO Corp., Aichi, JPN) ,  ONDA S (DENSO Corp., Aichi, JPN) ,  TAKATORI K (Toyota Central R&D Lab., Inc., Aichi, JPN)
資料名： Nature (London)  (Nature (London))
巻： 430  号： 7003  ページ： 1009-1012  発行年： 2004年08月26日 
JST資料番号： D0193B  ISSN： 0028-0836  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 炭化ケイ素(SiC)は優れた物理的,機械的,電子的特性をもつ...

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,...

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分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (3件)： 高品質 ,  炭化ケイ素 ,  単結晶