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J-GLOBAL ID：200902247002792599   整理番号：08A0990555

Cu触媒Siナノワイヤにおけるダイアモンド立方晶系/ダイアモンド六方晶系へテロ構造の形成に対する(111)双晶の影響

Influence of the (111) twinning on the formation of diamond cubic/diamond hexagonal heterostructures in Cu-catalyzed Si nanowires

著者 (7件)： ARBIOL Jordi (GAEN-CeMARC, Group of Advanced Electron Nanoscopy - Centre de Microscopia d’Alta Resolucio de Catalunya, Univ. de ...) ,  FONTCUBERTA I MORRAL Anna (Lab. de Physique des Interfaces et Couches Minces, Ecole Polytechnique, 91128 Palaiseau Cedex, FRA) ,  ESTRADE Sonia (EME/XaRMAE/IN2UB, Departament d’Electronica, Univ. de Barcelona, E-08028 Barcelona, Catalonia, ESP) ,  PEIRO Francesca (EME/XaRMAE/IN2UB, Departament d’Electronica, Univ. de Barcelona, E-08028 Barcelona, Catalonia, ESP) ,  KALACHE Billel (Lab. de Physique des Interfaces et Couches Minces, Ecole Polytechnique, 91128 Palaiseau Cedex, FRA) ,  ROCA I CABARROCAS Pere (Lab. de Physique des Interfaces et Couches Minces, Ecole Polytechnique, 91128 Palaiseau Cedex, FRA) ,  MORANTE Joan Ramon (EME/XaRMAE/IN2UB, Departament d’Electronica, Univ. de Barcelona, E-08028 Barcelona, Catalonia, ESP)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 104  号： 6  ページ： 064312  発行年： 2008年09月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ナノワイヤの(111)成長方向に沿った輪郭をなすディスクとしての立方晶系シリコン/六方晶系シリコンへテロ構造の生成を,Cuを触媒として得られたSiナノワイヤについて詳細に述べた。両方の半導体相及びそれらの界面の構造的性質に関する詳細な測定について記述した。成長中に,〈111〉方向に沿って立方晶系相にラメラ双晶が生成されることを観測した。〈111〉成長方向に沿って双晶が連続的に存在することが,ナノワイヤに沿って六方晶系Si部分が局所的に形成される原因と相関している。これが六方晶系Siダイアモンド構造の量子井戸を作り出すわけである。最後に,ワイヤの最終的な電子的性質における双晶及びウルツ鉱型構造の存在の効果を,予測されるエネルギーバンド図の助けを借りて評価し,コメントを行った。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ケイ素 ,  *ナノワイヤ ,  *化学蒸着 ,  銅触媒 ,  *双晶 ,  ファセット ,  積層構造 ,  ヘテロ接合 ,  ダイヤモンド型結晶 ,  立方晶系 ,  六方晶系 ,  量子井戸 ,  バンド構造 ,  電子顕微鏡観察 ,  半導体薄膜
準シソーラス用語： 触媒化学蒸着

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (8件)： Cu触媒 ,  Si ,  ナノワイヤ ,  ダイアモンド ,  立方晶系 ,  六方晶系 ,  テロ ,  双晶