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J-GLOBAL ID：200902247129564684   整理番号：08A1050097

電気化学置換法を用いて調製したAu(111)上のC₇₀,C₆₀/C₇₀混合フラーレンと水素化フラーレン吸着層の電気化学STMによる研究

Electrochemical STM investigation of C₇₀, C₆₀/C₇₀ mixed fullerene and hydrogenated fullerene adlayers on Au(111) prepared using the electrochemical replacement method

著者 (4件)： UEMURA Shinobu (Dep. of Applied Chemistry and Biochemistry, Fac. of Engineering, Kumamoto Univ., 2-39-1 Kurokami, Kumamoto 860-8555, JPN) ,  TANIGUCHI Isao (Dep. of Applied Chemistry and Biochemistry, Fac. of Engineering, Kumamoto Univ., 2-39-1 Kurokami, Kumamoto 860-8555, JPN) ,  SAKATA Masayo (Dep. of Applied Chemistry and Biochemistry, Fac. of Engineering, Kumamoto Univ., 2-39-1 Kurokami, Kumamoto 860-8555, JPN) ,  KUNITAKE Masashi (Dep. of Applied Chemistry and Biochemistry, Fac. of Engineering, Kumamoto Univ., 2-39-1 Kurokami, Kumamoto 860-8555, JPN)
資料名： Journal of Electroanalytical Chemistry  (Journal of Electroanalytical Chemistry)
巻： 623  号： 1  ページ： 1-7  発行年： 2008年11月01日 
JST資料番号： D0037A  ISSN： 1572-6657  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Au(111)上の(i)フラーレンC₇₀,(ii)混合C₆₀及びC₇₀分子,及び(iii)水素化フラーレンC₆₀H_x(20)のエピタキシャル吸着層を電気化学置換(ECR)法によって調製し,電気化学STM観察で研究した。ECR法での電気化学電位管理によって制御されたヨウ素脱着とフラーレン置換過程の遅延によりフラーレンの高品質吸着層が生成した。ECR法では,ヨウ素吸着層がフラーレンの高い表面拡散を促進し,フラーレンアレイの核形成を抑制する。C₆₀だけでなくC₇₀もECR法で調製すると高秩序吸着層を生成した。C₆₀及びC₇₀.更に,C₇₀の「自立」配向はAu(111)表面上の理想的C₇₀六角アレイでの「屈伏」配向に比べ支配的であった。加えて,無秩序吸着層の水素化フラーレンC₆₀H_x(20)に特有な特徴をSTMを用いて初めて観察した。C₆₀H_x(20)吸着層の電位依存性からC₆₀及びC₇₀の吸着よりC₆₀H_x(20)の吸着の方が弱いことは明らかである。Copyright 2008 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 金 ,  結晶面 ,  *フラーレンC70 ,  *フラーレンC60 ,  *水素化 ,  *層 ,  *走査型トンネル顕微鏡 ,  エピタクシー ,  依存性 ,  ヨウ素 ,  脱着 ,  表面拡散 ,  核形成 ,  分子配向 ,  サイクリックボルタンメトリー ,  吸着
準シソーラス用語： STM【顕微鏡】 ,  エピタキシャル成長 ,  *吸着層 ,  電位依存性 ,  *電気化学走査型トンネル顕微鏡

分類 (3件)： 電極過程  (CB07040U) ,  固-液界面  (CB12050B) ,  原子・分子のクラスタ  (BH09030O)

タイトルに関連する用語 (11件)： 電気化学 ,  置換法 ,  調製 ,  Au ,  C70 ,  C60 ,  フラーレン ,  水素化 ,  吸着層 ,  電気化学STM ,  研究