文献

J-GLOBAL ID：200902247176285041 整理番号：08A0277070

長波長InGaN量子井戸レーザダイオードの特性

Characteristics of long wavelength InGaN quantum well laser diodes

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=08A0277070&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=08A0277070&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0613A") }}

著者 (12件)： , , , , , , , , , , ,
資料名：
巻： 92 号： 10 ページ： 101103 発行年： 2008年03月10日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

連続波下のInGaNレーザダイオードの長波長(485nm)レーザ発振(>10mW)を室温で実証した。量子井戸の下のInGaN光閉込め層(OCL)にIn組成の異なるInGaNレーザ構造を用いた。In濃度1.5%のOCLと比べ,In濃度が3%のOCL上に成長させたInGaNレーザダイオードではエレクトロルミネセンスの青方偏移が減少した。Inが3%のレーザダイオードのエレクトロルミネセンスピークはInが1.5%のものに比べて全ての電流レベルに対して長波長で生じた。また,Inが1.5%のOCLに成長させた横方向に不均一なInGaN量子井戸を高分解能透過型電子顕微鏡を用いてInGaN活性層の断面像から検証した。(翻訳著者抄録)

, , , , , , , , , , , ,

半導体レーザ

, , ,

前のページに戻る

TOP

BOTTOM