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J-GLOBAL ID：200902247176285041   整理番号：08A0277070

長波長InGaN量子井戸レーザダイオードの特性

Characteristics of long wavelength InGaN quantum well laser diodes

著者 (12件)： KIM K. S. (OS Lab., Corporate R&D Inst., Samsung Electro-Mechanics Co., LTD, 314, Maetan3-Dong, Yeongtong-Gu, Suwon, Kyunggi-Do ...) ,  SON J. K. (OS Lab., Corporate R&D Inst., Samsung Electro-Mechanics Co., LTD, 314, Maetan3-Dong, Yeongtong-Gu, Suwon, Kyunggi-Do ...) ,  LEE S. N. (OS Lab., Corporate R&D Inst., Samsung Electro-Mechanics Co., LTD, 314, Maetan3-Dong, Yeongtong-Gu, Suwon, Kyunggi-Do ...) ,  SUNG Y. J. (OS Lab., Corporate R&D Inst., Samsung Electro-Mechanics Co., LTD, 314, Maetan3-Dong, Yeongtong-Gu, Suwon, Kyunggi-Do ...) ,  PAEK H. S. (OS Lab., Corporate R&D Inst., Samsung Electro-Mechanics Co., LTD, 314, Maetan3-Dong, Yeongtong-Gu, Suwon, Kyunggi-Do ...) ,  KIM H. K. (OS Lab., Corporate R&D Inst., Samsung Electro-Mechanics Co., LTD, 314, Maetan3-Dong, Yeongtong-Gu, Suwon, Kyunggi-Do ...) ,  KIM M. Y. (OS Lab., Corporate R&D Inst., Samsung Electro-Mechanics Co., LTD, 314, Maetan3-Dong, Yeongtong-Gu, Suwon, Kyunggi-Do ...) ,  HA K. H. (OS Lab., Corporate R&D Inst., Samsung Electro-Mechanics Co., LTD, 314, Maetan3-Dong, Yeongtong-Gu, Suwon, Kyunggi-Do ...) ,  RYU H. Y. (OS Lab., Corporate R&D Inst., Samsung Electro-Mechanics Co., LTD, 314, Maetan3-Dong, Yeongtong-Gu, Suwon, Kyunggi-Do ...) ,  NAM O. H. (OS Lab., Corporate R&D Inst., Samsung Electro-Mechanics Co., LTD, 314, Maetan3-Dong, Yeongtong-Gu, Suwon, Kyunggi-Do ...) ,  JANG T. (OS Lab., Corporate R&D Inst., Samsung Electro-Mechanics Co., LTD, 314, Maetan3-Dong, Yeongtong-Gu, Suwon, Kyunggi-Do ...) ,  PARK Y. J. (OS Lab., Corporate R&D Inst., Samsung Electro-Mechanics Co., LTD, 314, Maetan3-Dong, Yeongtong-Gu, Suwon, Kyunggi-Do ...)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 92  号： 10  ページ： 101103  発行年： 2008年03月10日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 連続波下のInGaNレーザダイオードの長波長(485nm)レーザ発振(>10mW)を室温で実証した。量子井戸の下のInGaN光閉込め層(OCL)にIn組成の異なるInGaNレーザ構造を用いた。In濃度1.5%のOCLと比べ,In濃度が3%のOCL上に成長させたInGaNレーザダイオードではエレクトロルミネセンスの青方偏移が減少した。Inが3%のレーザダイオードのエレクトロルミネセンスピークはInが1.5%のものに比べて全ての電流レベルに対して長波長で生じた。また,Inが1.5%のOCLに成長させた横方向に不均一なInGaN量子井戸を高分解能透過型電子顕微鏡を用いてInGaN活性層の断面像から検証した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *量子井戸 ,  *半導体レーザ ,  インジウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  窒化物 ,  化合物半導体 ,  レーザ発振 ,  閉込め ,  *エレクトロルミネセンス ,  青方偏移 ,  透過型電子顕微鏡 ,  電子顕微鏡観察
準シソーラス用語： 光閉込め

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (4件)： 長波 ,  InGaN ,  量子井戸レーザ ,  ダイオード