文献

J-GLOBAL ID：200902247349824296   整理番号：09A1082485

PLD法による硫黄ドープチタン酸化物薄膜の合成と評価(その1)

著者 (5件)： 村松淳司 (東北大 多元物質科研) ,  佐藤修彰 (東北大 多元物質科研) ,  蟹江澄志 (東北大 多元物質科研) ,  高橋英志 (東北大 多元物質科研) ,  吉永勝己 (三井化学)
資料名： 硫酸と工業  (Sulphuric Acid and Industry)
巻： 62  号： 10  ページ： 147-154  発行年： 2009年10月15日 
JST資料番号： F0507A  ISSN： 0370-8047  CODEN： RYUSAZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 実用的に水の光分解用触媒を使用するためにはより高効率で紫外線を利用した上で,さらに可視光領域の波長まで利用可能な光触媒材料を開発する可能性がある。そのためには光触媒材料が吸収可能な波長領域を広げること,即ちバンドギャップを狭くする事が重要である。PLD法による硫黄ドープチタン酸化物薄膜の合成とその評価に関し,下記事項について解説した。1)主な酸化物半導体のバンドギャップエネルギーとチタニアへの硫黄ドープ。2)硫黄ドープ酸化チタン光触媒触媒の調製法と光触媒反応。3)チタニアの硫化挙動。4)チタニア光触媒膜。5)雰囲気制御型PLD法の概要と成膜実験による評価(TEM観察,制限視野電子回折,X線反射率,局所構造解析,AFM観察)。

シソーラス用語： *レーザ蒸着 ,  パルスレーザ照射 ,  制限視野回折 ,  *硫黄 ,  ドーピング ,  *酸化チタン ,  半導体薄膜 ,  *化合物半導体 ,  効率化 ,  光触媒 ,  化学合成 ,  *性能評価 ,  光学ギャップ ,  触媒調製 ,  光触媒反応 ,  透過型電子顕微鏡 ,  電子顕微鏡観察 ,  構造解析 ,  原子間力顕微鏡 ,  *パルスレーザ蒸着 ,  X線反射率 ,  局所構造 ,  *酸化物半導体 ,  改変
準シソーラス用語： *PLD法 ,  光学バンドギャップ ,  高効率 ,  制限視野電子回折

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  固体デバイス材料  (NC03020K) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

引用文献 (33件)：

• M. Ziolock, J. Kujawa, O. Saur, J. C. LavaIley: J. Mol Cat., A: Chem., 97, 49(1995).
• T. Ohno, F. Tanigawa, K. Fujihara, S. Izumi, and M. Matsumura, J. Photochem. Photobiol, A: 127, 107(1999).
• R. Asahi, T. Morikawa, T. Ohwaki, K. Aoki, Y. Taga: Science, 293, 269(2001).
• T. Ohno, Y. Masaki, S. Hirayama, and M. Matsumura, J. Catal., 204, 163(2001).
• T. Umebayashi T.Yamaki, S.Tanaka, and K. Asai, Chem. Lett., 32, 330(2003).

タイトルに関連する用語 (6件)： PLD法 ,  硫黄 ,  ドープ ,  チタン ,  酸化物薄膜 ,  評価