文献

J-GLOBAL ID：200902247583730378   整理番号：08A0256276

単一イオン照射:物理学,技術および応用

Single-ion irradiation: physics, technology and applications

著者 (1件)： OHDOMARI Iwao (Waseda Univ., Tokyo, JPN)
資料名： Journal of Physics. D. Applied Physics  (Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻： 41  号： 4  ページ： 043001,1-27  発行年： 2008年02月21日 
JST資料番号： B0092B  ISSN： 0022-3727  CODEN： JPAPBE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本総説は,半導体技術において使用される陽子,α粒子および他のイオンにより誘起されるSi結晶およびSiデバイスに対する放射線効果を考察する。本総説の特徴は,ここで検討される放射線効果が粒子ビームではなく,’単一’粒子により誘起されることである。半導体デバイスにおける放射線硬化の部位依存性を研究することを可能にする単一イオンプローブを記述した。次いで,ドーパント原子の離散数およびランダム位置により誘起されるデバイス関数におけるゆらぎを抑制するためのツールとしての単一イオン注入を記述した。最後に,単一イオン照射により誘導される欠陥クラスターの性質および挙動により’探測’と’修正’に付随する共通の特徴を記述した。

シソーラス用語： *ケイ素 ,  *半導体素子 ,  *照射損傷 ,  *イオン照射 ,  ドーピング ,  *ゆらぎ

分類 (1件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E)

タイトルに関連する用語 (3件)： イオン照射 ,  物理学 ,  応用